TSS Tiristori soppressori di ondata P0080TB Componente semiconduttore DO-214AC SMA

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negotiable
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TSS Tiristori soppressori di ondata P0080TB Componente semiconduttore DO-214AC SMA
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Caratteristiche
Specificazioni
Articolo: DIODI TSS
tipo di pacchetto: DO-214AC/SMA
VDRM (min.): 6V
IDRM: 5 μA
Vs @100V/μS (massimo): 25 V
È (Max.): 800mA
Vt @It=2.2A (massimo): 4V
(Max.): 2.2A
(Min.): 50mA
C0 @1MHz,2V Bias (Tipo.): 130pF
Evidenziare:

TSS Tiristori soppressori di sovratensione

,

Suppressori di sovratensione del tiristore P0080TB

,

Componente semiconduttore DO-214AC

Informazioni di base
Luogo di origine: Shenzhen, Guangdong, Cina
Marca: SOCAY
Certificazione: REACH,RoHS,ISO
Numero di modello: P0080TB
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: Imballaggio AMMO all'ingrosso
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Descrizione di prodotto

TSS Tiristori soppressori di ondata P0080TB Componente semiconduttore DO-214AC SMA

 

DATASHEET:PXXX0TB_v2101.2.pdf

 

 

Parte della scheda dati come segue

 

Numero della parte Marcatura

 

V.DRM

@ IoDRM= 5 μA

 

V.S

@100V/μS

Io...S

V.T

@ IoT=2,2A

Io...T Io...H

C0

@ 1MHz, 2Vbias

    V. Min. V. Mascia. mA Mascia. V. massimo. Amassimo. mA min. pFtipico.
P0080TB P008B 6 25 800 4 2.2 50 130
P0220TB P22B 15 30 800 4 2.2 50 120
P0300TB P03B 25 40 800 4 2.2 50 120
P0640TB P06B 58 77 800 4 2.2 120 80
P0720TB P07B 66 87 800 4 2.2 120 75
P0900TB P09B 75 98 800 4 2.2 120 70
P1100TB P11B 90 130 800 4 2.2 120 70
P1300TB P13B 120 160 800 4 2.2 120 60
P1500TB P15B 140 180 800 4 2.2 120 55
P1800TB P18B 170 220 800 4 2.2 120 50
P2300TB P23B 190 260 800 4 2.2 120 50
P2600TB P26B 220 300 800 4 2.2 120 45
P3100TB P31B 275 350 800 4 2.2 120 45
P3500TB P35B 320 400 800 4 2.2 150 40

Nota:

1 VSè misurato a 100 KV/s;

2 La capacità fuori stato è misurata in VDC=2V, VRMS=1V, f=1MHz.

 

TSS Tiristori soppressori di ondata P0080TB Componente semiconduttore DO-214AC SMA 0

 

Caratteristiche:

 

L'impostazione del supporto superficiale ottimizza l'utilizzo dello spazio della tavola


Reagire rapidamente ad elevate tensioni transitorie

 

 

Parametro Il simbolo Valore Unità
Intervallo di temperatura di stoccaggio Tstg -60 a +150 °C
Intervallo di temperatura delle giunzioni di funzionamento Tj -40 a +150 °C
Corrente di impulso di picco ripetitiva Io...PP 80 A

 

 

 

Parametro Definizione
Io...S Corrente di cambio- corrente massima necessaria per passare allo stato acceso
Io...DRM Corrente di perdita- corrente massima di picco in stato di disattivazione, misurata a VDRM
Io...H Corrente di tenuta- corrente minima necessaria per mantenere lo stato
Io...T Corrente in stato attivo- corrente continua massima nominale in stato attivo
V.S Voltaggio di commutazione- tensione massima prima dell'accensione
V.DRM Tensione di picco fuori stato- tensione massima che può essere applicata mantenendo lo stato spento
V.T Voltaggio in stato attivo- tensione massima misurata alla corrente nominale in stato attivo
C0 Capacità fuori stato- capacità tipica misurata allo stato di spegnimento

 

TSS Tiristori soppressori di ondata P0080TB Componente semiconduttore DO-214AC SMA 1

TSS Tiristori soppressori di ondata P0080TB Componente semiconduttore DO-214AC SMA 2

TSS Tiristori soppressori di ondata P0080TB Componente semiconduttore DO-214AC SMA 3

 

TSS Tiristori soppressori di ondata P0080TB Componente semiconduttore DO-214AC SMA 4

 

Dettagli dell'imballaggio

 

Disegno Fabbricazione a base di fibre sintetiche Per cartone (pcs) Diametro del rullo (mm)  
Registrazione 5,000 80,000 330  

 

Metodo di selezione

 

1Per conoscere il prodotto del cliente, tensione di funzionamento, porta di applicazione, livello di protezione.

2"Voltaggio di interruzione > Voltaggio di funzionamento CC del circuito.

3"Selezionare il valore di capacità e la portata del dispositivo in base alla porta di applicazione e al livello di protezione.

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