Corrente di perdita inversa al VRRM | 30 μA |
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Intervallo di temperatura di funzionamento e di temperatura di stoccaggio | -55 a +150℃ |
Tensione di didascalia massima di CC | 60 V |
Corrente rettificata media | 1A |
Capacità tipica di giunzione a VR=0V | 125pF |
Tensione di didascalia massima di CC | 100 V |
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Tensione massima in avanti a IF=1A | 0.8V |
Tensione massima RMS | 70 V |
Tensione inversa di punta ripetitiva massima | 100 V |
Capacità tipica di giunzione a VR=0V | 100 pF |
Tensione massima RMS | 14V |
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Corrente di perdita inversa al VRRM | 30 μA |
Capacità tipica di giunzione a VR=0V | 155 pF |
Corrente rettificata media | 1A |
Tensione massima in avanti a IF=1A | 0.55V |
Tensione massima RMS | 105V |
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VDC | 150 V |
Resistenza termica | 85°C/W |
SPQ | 3000 pezzi |
Corrente rettificato di andata medio massimo | 2.0A |
Tensione massima RMS | 100 V |
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Tensione massima in avanti a IF=2A | 70 V |
SPQ | 3000 pezzi |
Temperatura di funzionamento | -50-+125°C |
IFSM | 50A |
IFSM | 50A |
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VDC | 40 V |
Temperatura di funzionamento | -50-+125°C |
Corrente rettificato di andata medio massimo | 2.0A |
Intervallo di temperatura di stoccaggio | -50-+150°C |
Corrente rettificato di andata medio massimo | 2.0A |
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VDC | 40 V |
Tensione massima in avanti a IF=2A | 0.55V |
Tensione massima RMS | 28V |
Temperatura di funzionamento | -50-+125°C |
IFSM | 50A |
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Tensione massima RMS | 140V |
Resistenza termica | 85°C/W |
Temperatura di funzionamento | -50-+125°C |
SPQ | 3000 pezzi |
Nome del prodotto | Diodo di barriera di Schottky |
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Pacco | DO-214AC (SMA) |
Max. VRRM | 40 V |
Max. VRMS | 28V |
Max. VDC | 40 V |
Nome della SBD | Diodo di barriera di Schottky |
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Pacchetto SBD | DO-214AC (SMA) |
SBD Max. VRRM | 40 V |
Diodo Max. VRMS | 28V |
SBD Max. VDC | 40 V |