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Diodo di barriera di Schottky

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Porcellana SBD304D1 Voltaggio inverso massimo di picco ripetitivo per diodo rettificatore a bassa tensione da 40 V

SBD304D1 Voltaggio inverso massimo di picco ripetitivo per diodo rettificatore a bassa tensione da 40 V

MOQ: 3000PCS/REEL
Peak forward Surge Current 50A
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 40V
Maximum RMS Voltage 28V
Average Rectified Current at TA=75℃ 3A
Operating Junction Temperature Range -50 To +150℃
Porcellana SBD303D1 21V Diodo di barriera Schottky 50A Corrente di picco 3A Corrente media rettificata

SBD303D1 21V Diodo di barriera Schottky 50A Corrente di picco 3A Corrente media rettificata

MOQ: 3000PCS/REEL
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 30V
Package SOD-123FL
Maximum RMS Voltage 21V
Maximum DC Blocking Voltage 30V
Peak forward Surge Current 50A
Porcellana SOCAY Superficie montata Schottky Barrier Rectifiers SBD302D1 Voltaggio massimo RMS 14V

SOCAY Superficie montata Schottky Barrier Rectifiers SBD302D1 Voltaggio massimo RMS 14V

MOQ: 3000PCS/REEL
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 20V
Storage Temperature Range -50 To +150℃
Peak forward Surge Current 50A
Package SOD-123FL
Average Rectified Current at TA=75℃ 3A
Porcellana SOCAY 200V Rettificatori Schottky in DO-214AC Pacchetto SBD220D1 Diodo di barriera Schottky

SOCAY 200V Rettificatori Schottky in DO-214AC Pacchetto SBD220D1 Diodo di barriera Schottky

MOQ: 3000PCS/REEL
Corrente rettificata media 2A
Tensione massima RMS 140V
Intervallo di temperatura di funzionamento e di temperatura di stoccaggio -55 a +125℃
Tensione di didascalia massima di CC 200 V
Tensione massima in avanti a IF=1A 0,95 V
Porcellana SBD215D1 Tensione massima RMS di 105 V di corrente di sovraccarico avanzata semiconduttore

SBD215D1 Tensione massima RMS di 105 V di corrente di sovraccarico avanzata semiconduttore

MOQ: 3000PCS/REEL
Intervallo di temperatura di funzionamento e di temperatura di stoccaggio -55 a +125℃
Tensione inversa di punta ripetitiva massima 150 V
Corrente rettificata media 2A
Tensione massima in avanti a IF=1A 0,95 V
Tensione di didascalia massima di CC 150 V
Porcellana 100V massima ripetizione di picco voltaggio inverso Schottky diodo di barriera SBD210D1 per la vostra applicazione

100V massima ripetizione di picco voltaggio inverso Schottky diodo di barriera SBD210D1 per la vostra applicazione

MOQ: 3000PCS/REEL
Tensione massima in avanti a IF=1A 0.85V
Intervallo di temperatura di funzionamento e di temperatura di stoccaggio -55 a +125℃
Tensione inversa di punta ripetitiva massima 100 V
Tensione massima RMS 70 V
Corrente rettificata media 2A
Porcellana SBD120D1 Diodo di barriera di Schottky 200V Diodo per componenti elettronici a volta inversa di picco massimo ripetitivo

SBD120D1 Diodo di barriera di Schottky 200V Diodo per componenti elettronici a volta inversa di picco massimo ripetitivo

MOQ: 3000PCS/REEL
Tensione massima in avanti a IF=1A 0.85V
Intervallo di temperatura di funzionamento e di temperatura di stoccaggio -55 a +150℃
Tensione inversa di punta ripetitiva massima 200 V
Corrente di perdita inversa al VRRM 30 μA
Capacità tipica di giunzione a VR=0V 85 pF
Porcellana Rettificatori per la barriera di Schottky SBD206D1 per applicazioni

Rettificatori per la barriera di Schottky SBD206D1 per applicazioni

MOQ: 3000PCS/REEL
Tensione massima RMS 42 V
Tensione massima in avanti a IF=1A 0.7V
Tensione inversa di punta ripetitiva massima 60 V
Corrente rettificata media 1A
Tensione di didascalia massima di CC 60 V
Porcellana SBD204D1 Diodo di barriera Schottky per dispositivi medici

SBD204D1 Diodo di barriera Schottky per dispositivi medici

MOQ: 3000PCS/REEL
Tensione inversa di punta ripetitiva massima 40 V
Tensione di didascalia massima di CC 40 V
Tensione massima RMS 28V
Corrente rettificata media 2A
Intervallo di temperatura di funzionamento e di temperatura di stoccaggio -55 a +125℃
Porcellana Diodo di barriera di Schottky 150V SBD115D1 30μA Corrente di perdita inversa

Diodo di barriera di Schottky 150V SBD115D1 30μA Corrente di perdita inversa

MOQ: 3000PCS/REEL
Intervallo di temperatura di funzionamento e di temperatura di stoccaggio -55 a +150℃
Capacità tipica di giunzione a VR=0V 85 pF
Corrente rettificata media 1A
Corrente di perdita inversa al VRRM 30 μA
Tensione massima in avanti a IF=1A 0.85V
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