20V di picco ripetitivo di tensione inversa SS12A Schottky diodo di barriera SMA pacchetto

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20V di picco ripetitivo di tensione inversa SS12A Schottky diodo di barriera SMA pacchetto
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Caratteristiche
Specificazioni
nome componente: Diodo di barriera di Schottky
Tipo di pacchetto: DO-214AC (SMA)
VRRM: 20V
Vrms: 14V
VDC: 20V
SE (AVOIRDUPOIS): 1A
IFSM: 40A
dv/dt: 10000V/μs
Informazioni di base
Luogo di origine: Shenzhen, Guangdong, Cina
Marca: SOCAY
Certificazione: REACH,RoHS,ISO
Numero di modello: SS12A
Termini di pagamento e spedizione
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Descrizione di prodotto

20V di ripetizione di picco di tensione inversa SS12A Schottky diodo di barriera SMA pacchetto

 

Diodo di barriera di Schottky FLISCO DI DATI:SS12A~SS120A ((SMA)_v2211.1.pdf

 

 

Caratteristiche del diodo di barriera di Schottky:

  • Pacchetto a basso profilo
  • Ideale per il posizionamento automatizzato
  • Tempo di recupero inverso ultraveloce
  • Basse perdite di potenza, elevata efficienza
  • Basso calo di tensione in avanti
  • Capacità di alta sovratensione
  • Saldatura ad alta temperatura:
  • 260°C/10 secondi ai terminali

    Componente conforme a RoHS 2002/95/1 e WEEE 2002/96/CE

 

Dati meccanici del diodo di barriera di Schottky:

  • Caso: JEDEC DO-214AC plastica stampata
  • Termini: saldatura, saldabile secondo J-STD-002B e JESD22-B102D
  • Polarità: banda laser indica l'estremità del catodo

 

Diodo di barriera Schottky Classificazione e caratteristiche principali:

Io...F (((AV) 1.0A
V.RRM 20 V a 200 V
Io...FSM 40A
V.F 00,50V, 0,55V, 0,70V, 0,85V,0.95V
TJ Max. 125°C

 

 

 

 

Diodo di barriera di Schottky (TA= 25°C, salvo diversa indicazione):

Articolo 2 Il simbolo SS12A SS13A SS14A SS15A SS16A SS18A SS110A SS115A SS120A Unità

Picco massimo ripetitivo

tensione inversa

V.RRM 20 30 40 50 60 80 100 150 200 V.
Tensione massima RMS V.RMS 14 21 28 35 42 56 70 105 140 V.

CC massimo

tensione di blocco

V.DC 20 30 40 50 60 80 100 150 200 V.

Valore medio massimo in anticipo

corrente rettificata

 

Io...F(AV) 1 A

Corrente di picco di spinta in avanti

8.3ms singola mezza onda sinusoidale

sovrapposte al carico nominale

 

Io...FSM

40 A

Tasso di variazione della tensione

(classificato V)R)

dv/dt 10000 V/μs

Resistenza termica da

giunzione al piombo(1)

RθJL 35 °C/W

Collegamento di funzionamento e stoccaggio

intervallo di temperatura

TJT.STG ₹ 65 a +125 °C
Nota 1: montato su PCB con aree di cuscinetto in rame di 0,2 x 0,2 ′′ (5,0 x 5,0 mm).

 

 

 

Caratteristiche elettriche del diodo di barriera di Schottky (T)A= 25°C, salvo diversa indicazione):

Articolo 2 Condizioni di prova Il simbolo SS12A

SS13A~

SS14A

SS15A~

SS16A

SS18A~

SS110A

SS115A~

SS120A

Unità
Voltaggio immediato in avanti IF=1.0A(2) VF 0.50 0.55 0.70 0.85 0.95 V.
Corrente inversa VR=VDC Tj=25°C IR 0.5 mA
    Tj=100°C   5.0  
Nota 2: prova dell'impulso: larghezza dell'impulso di 300 μs, ciclo di lavoro dell'1%.

 

 

 

 

Diodo di barriera Schottky SS12A Dimensioni del diodo:

20V di picco ripetitivo di tensione inversa SS12A Schottky diodo di barriera SMA pacchetto 0

 

 

 

Diodo di barriera di Schottky SS12A Avviso:

  • Il prodotto è destinato ad essere utilizzato in applicazioni elettroniche generali.
  • Il prodotto deve essere lavorato meno di quanto indicato; se superato, può causare danni permanenti o introdurre meccanismi di guasto latente.
  • I valori massimi assoluti sono valori nominali e non devono essere superati durante il funzionamento.

Io...F (((AV)Raccomandiamo che il peggiore dei casi non sia superiore all' 80%.

Io...FSM: Questa categoria specifica la corrente di picco non ripetitiva, che si applica solo per un funzionamento anormale, che può essere generato durante la vita del dispositivo.

TJPer garantire un'elevata affidabilità, si raccomanda di abbassare questa valutazione quando si utilizza un dispositivo.Jdi temperatura inferiore a 100°C.

 

 

20V di picco ripetitivo di tensione inversa SS12A Schottky diodo di barriera SMA pacchetto 1

 

 

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