SE03N6L01GZ ESD Array Protezione ESD a bassa capacità Voltaggio di esercizio 3.3V

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SE03N6L01GZ ESD Array Protezione ESD a bassa capacità Voltaggio di esercizio 3.3V
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Caratteristiche
Specificazioni
nome componente: Arrays ESD
Confezione dei componenti: DFN1006-2L
Vrwm (massimo): 3.3V
Vbr (min.): 5.0V
Vbr (massimo): 6.5V
- Sì.: 1mA
Ir (Max.): 1.0 μA
Vc (Tipo) (Ipp=1A): 9,0 V
Vc (Tipo) (Ipp=5A): 19.0V
Cj (Tipo): 0.4pF
Evidenziare:

Array ESD 3.3V

,

Array ESD a bassa capacità

,

Protezione ESD a bassa capacità

Informazioni di base
Luogo di origine: Shenzhen, Guangdong, Cina
Marca: SOCAY
Certificazione: REACH RoHS ISO
Numero di modello: SE03N6L01GZ
Termini di pagamento e spedizione
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Descrizione di prodotto

Dispositivi ESD a bassa capacità per la protezione ESD SE03N6L01GZ Voltaggio di esercizio 3.3V

 
Arrays ESD DATASHEET:Se è necessario, il numero di unità di controllo deve essere indicato.1.pdf
 
 
Caratteristiche degli array ESD:

  • Tensione di funzionamento: 3,3 V
  • Basso livello di perdita: nA
  • Capacità ridotta
  • Tensione di fissaggio estremamente bassa
  • RoHS conforme

 

Applicazioni di array ESD:

  • Telefoni cellulari e accessori
  • Interfaccia digitale visiva (DVI)
  • Circuiti RF
  • Portata visualizzata
  • Porte USB
  • Porte MDDI
  • PCI Express

 

Le caratteristiche meccaniche degli array ESD:

  • DFN1006 (1.0x0.6x0.5mm) Pacchetto
  • Peso 0,5 milligrammi (circa)
  • Quantità per rullo: 10.000 pcs
  • Dimensione del rullo: 7 pollici
  • Finitura senza piombo

 

Diagramma funzionale degli array ESD:

SE03N6L01GZ ESD Array Protezione ESD a bassa capacità Voltaggio di esercizio 3.3V 0

 

 

Arrays di ESD (T)A= 25°C, salvo diversa indicazione):

 
Il simbolo Parametro Valore Unità
TL Temperatura di saldatura a piombo 260 (10 secondi) oC
TOP Intervallo di temperatura di funzionamento -55 a +125 °C
TSTG Intervallo di temperatura di stoccaggio -55 a +150 °C
V.DSE ESD per IEC61000-4-2 (aria) ± 25 kV
  ESD per IEC61000-4-2 (contatto) ± 25  

 

 

 

Caratteristiche elettriche (TA=25°C se non diversamente specificato):

Parametro Il simbolo Condizioni Un minuto. Tipo. - Max, ti prego. Unità
Voltaggio di funzionamento inverso VRWM - Non lo so. - Non lo so. - Non lo so. 3.3 V.
Tensione di rottura VBR IT = 1mA 5.0 - Non lo so. 6.5 V.
Corrente di perdita IR VRWM = 3,3V - Non lo so. - Non lo so. 1.0 μA
Voltaggio di fissaggio VC IPP = 1A, tP = 8/20μs - Non lo so. 9.0 - Non lo so. V.
Voltaggio di fissaggio VC IPP = 5A, tP = 8/20μs - Non lo so. 19.0 - Non lo so. V.
Capacità di giunzione C.J. VR = 0V, f = 1MHz - Non lo so. 0.4 - Non lo so. pF

 

 

 

Arrays di curve caratteristiche di ESD:

Figura 1.8/20 us Forma d'onda dell'impulso

SE03N6L01GZ ESD Array Protezione ESD a bassa capacità Voltaggio di esercizio 3.3V 1

 

Figura 2.DSEPulceWaveforma(secondo la norma IEC 61000-4-2)

SE03N6L01GZ ESD Array Protezione ESD a bassa capacità Voltaggio di esercizio 3.3V 2

 

DFN1006-2L Disegno e dimensioni del pacchetto:

Il simbolo Diametro Inch
  Un minuto. - Max, ti prego. Un minuto. - Max, ti prego.
A 0.450 0.550 0.018 0.022
A1 0.010 0.070 0.000 0.003
D 0.950 1.050 0.037 0.041
E 0.550 0.650 0.022 0.026
D1 0.450 REF 0.018 REF
E1 0.400 REF 0.016 REF
b 0.275 0.325 0.011 0.013
e 0.675 0.725 0.027 0.029
L 0.275 0.325 0.011 0.013
L1 0.010 REF 0.000 REF

 

SE03N6L01GZ ESD Array Protezione ESD a bassa capacità Voltaggio di esercizio 3.3V 3

 

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